ORTEC提供各种耗尽厚度的硅面垒型探测器,可满足众多研究应用的需求。
*所有分辨率测量均在21±1°C下执行和保证。
**用5.486-MeV天然α粒子测量。
A 系列 |
B 系列 |
|
主要应用 |
高分辨率带电粒子光谱测量(核物理与放射化学 ,空间物理学) |
粒子识别、望远镜探测器(核物理与放射化学,空间物理学) |
探测器类型 |
部分耗尽的硅面垒 |
全耗尽的硅面垒 |
初始材料 |
Si |
Si |
有效面积范围 (mm2) |
25-450 |
50-450 |
有效厚度范围 (µm) |
1000-2000 |
150-2000 |
保证工作温度范围* |
+25°C 至 |
+25°C 至 |
二极管结构 |
金 - N型硅铝部分耗尽 |
金 - N型硅铝全耗尽 |
标称等效** 窗口的截止能量 |
入口 |
入口 |
C 系列 |
D 系列 |
|
主要应用 |
从准直光源或光束的反向散射 - 角度相关测量(核物理) |
重离子的飞行时间测量(核物理) |
探测器类型 |
环形部分耗尽的硅面垒 |
平面全耗尽的硅面垒 |
初始材料 |
Si |
Si |
有效面积范围 (mm2) |
50-450 |
10-450 |
有效厚度范围 (µm) |
100-1000 |
15-100 |
保证工作温度范围* |
25°C 至 |
10°C 至 |
二极管结构 |
金 - N型硅铝部分耗尽 |
金 - N型硅铝全耗尽平面 |
标称等效** 窗口的截止能量 |
入口 |
入口 |
F 系列 |
R 系列 |
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主要应用 |
重离子谱测量(核物理学) |
可在空气和环境光下进行的带电粒子谱测量 |
探测器类型 |
部分耗尽的硅面垒 |
加固型部分耗尽硅 |
初始材料 |
Si |
Si |
有效面积范围 (mm2) |
100-900 |
50-2000 |
有效厚度范围 (µm) |
≥60 |
100-500 |
保证工作温度范围* |
+25°C 至 |
+25°C 至 |
二极管结构 |
金 - N型硅铝部分耗尽高场强 |
铝 - P型硅金部分耗尽 |
标称等效** 窗口的截止能量 |
入口 |
入口 |